Snapdragon 835 od Qualcomm to chipset o nazwie kodowej MSM8998, który zadebiutuje w smartfonach z serii Galaxy S8 pod koniec marca. Układ powstał przy współpracy Samsunga, więc możemy spodziewać się, że znajdziemy go również w międzynarodowej wersji nadchodzących flagowców Galaxy S8 i Galaxy S8 Plus. W ubiegłych latach był to zawsze chipset własnej produkcji, czyli Exynos. SD 835 został wykonany w technologii 10 nm, który nie jest tylko bardzo wydajny, ale również zoptymalizowany pod kątem poboru mocy. Oczywiście przygotowany został również pod kątem wirtualnej rzeczywistości. Obecne procesory są teraz już bardzo wydajne i będą wkrótce pojawiać się jeszcze lepsze, ale oprócz tego potrzebujemy również dłuższej żywotności baterii oraz mniejszego nagrzewania się urządzeń.
Teraz na Geekbench pojawiło się urządzenie z chipsetem Snadragon 835 i 4 GB RAM. Działa ono na Androidzie Nougat. Przy taktowaniu zegara 1.9 GHz na pojedynczym rdzeniu wynik to 2004. Dla porównania Galaxy S7 z chipstem Snapdragon 820 i taktowaniem zegara 1,6 GHz osiągnęło w teście wynik 1785. Jest to oczywiście tylko syntetyczny test, który nie ma żadnego odwzorowania w codziennym życiu, ale pokazuje, że teoretycznie Galaxy S8 będzie pracować lepiej niż Galaxy S7 (bez zaskoczenia oczywiście). Wynik jaki osiąga urządzenie z SD 835 na wielu rdzeniach to 6233.
Źródło: PhoneArena, Geekbench